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元器件型号详细信息
原厂型号
IPAN60R360PFD7SXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
详情
通孔 N 通道 650 V 10A（Tc） 23W（Tc） PG-TO220-FP
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™PFD7
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
360 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
534 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
23W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
IPAN60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IPAN60R360PFD7SXKSA1
448-IPAN60R360PFD7SXKSA1
SP003965454
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPAN60R360PFD7SXKSA1
相关文档
规格书
1(IPAN60R360PFD7S)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 18/Oct/2021)
EDA 模型
()
价格
数量: 10000
单价: $5.06433
包装: 管件
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单价: $5.26215
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替代型号
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