元器件型号详细信息

原厂型号
FCPF190N60-F152
摘要
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
详情
通孔 N 通道 600 V 20.2A(Tc) 39W(Tc) TO-220F-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
SuperFET® II
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
199 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
74 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2950 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
39W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FCPF190

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FCPF190N60_F152
FCPF190N60_F152-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FCPF190N60-F152

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规格书
1(FCPF190N60_F152)
环保信息
()
特色产品
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 13/Nov/2020)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Chg 14/Feb/2020)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)

价格

-

替代型号

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