元器件型号详细信息

原厂型号
SCT2H12NYTB
摘要
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
详情
表面贴装型 N 通道 1700 V 4A(Tc) 44W(Tc) TO-268
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
41 周
EDA/CAD 模型
标准包装
400

技术参数

制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 欧姆 @ 1.1A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 410µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
+22V,-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
184 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
44W(Tc)
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-268
封装/外壳
TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
基本产品编号
SCT2H12

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SCT2H12NYTBTR
SCT2H12NYTBCT
SCT2H12NYTBDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB

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EDA 模型
1(SCT2H12NYTB by Ultra Librarian)
仿真模型
1(SCT2H12NY Spice Model)

价格

数量: 2000
单价: $26.51166
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 400
数量: 1200
单价: $27.90701
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 400
数量: 800
单价: $33.08978
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 400
数量: 400
单价: $36.8772
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 400
数量: 100
单价: $38.8703
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $47.445
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $52.79
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $38.8703
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $47.445
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单价: $52.79
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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