元器件型号详细信息

原厂型号
PD20010STR-E
摘要
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
详情
RF Mosfet 13.6 V 150 mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF(直引线)
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
600

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
LDMOS
频率
2GHz
增益
11dB
电压 - 测试
13.6 V
额定电流(安培)
5A
噪声系数
-
电流 - 测试
150 mA
功率 - 输出
10W
电压 - 额定
40 V
封装/外壳
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线)
供应商器件封装
PowerSO-10RF(直引线)
基本产品编号
PD20010

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-497-10095-2
PD20010STRE
-497-10095-1
497-10095-1
497-10095-2
497-10095-6
PD20010STR-E-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/RF FET,MOSFET/STMicroelectronics PD20010STR-E

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价格

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