元器件型号详细信息

原厂型号
DMN33D8LTQ-7
摘要
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 115mA(Ta) 240mW(Ta) SOT-523
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
11 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.55 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
48 pF @ 5 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
240mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-523
封装/外壳
SOT-523
基本产品编号
DMN33

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMN33D8LTQ-7

相关文档

规格书
1(DMN33D8LTQ)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)

价格

数量: 150000
单价: $0.43449
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 75000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 30000
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最小包装数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000

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