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GermanyTPH2900ENH,L1Q
元器件型号详细信息
原厂型号
TPH2900ENH,L1Q
摘要
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 33A（Ta） 78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVIII-H
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
33A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2200 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
78W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
TPH2900
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TPH2900ENHL1QTR
TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENHL1QDKR
TPH2900ENHL1QCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TPH2900ENH,L1Q
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规格书
1(TPH2900ENH)
特色产品
1(Server Solutions)
EDA 模型
()
价格
数量: 5000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
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最小包装数量: 1
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替代型号
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