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GermanyTK16J60W,S1VE
元器件型号详细信息
原厂型号
TK16J60W,S1VE
摘要
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详情
通孔 N 通道 600 V 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-3P（N）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
25
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 7.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.7V @ 790µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1350 pF @ 300 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
130W（Tc）
工作温度
150°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3P（N）
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
基本产品编号
TK16J60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TK16J60W,S1VE(S
264-TK16J60WS1VE
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W,S1VE
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规格书
1(TK16J60W)
特色产品
1(Server Solutions)
价格
数量: 2000
单价: $20.14942
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
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