元器件型号详细信息

原厂型号
TLE2062IDR
摘要
IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
详情
J-FET 放大器 2 电路 8-SOIC
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Texas Instruments
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
放大器类型
J-FET
电路数
2
输出类型
-
压摆率
3.4V/µs
增益带宽积
2 MHz
电流 - 输入偏置
4 pA
电压 - 输入补偿
900 µV
电流 - 供电
625µA(x2 通道)
电流 - 输出/通道
80 mA
电压 - 跨度(最小值)
7 V
电压 - 跨度(最大值)
36 V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
TLE2062

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.33.0001

其它名称

TLE2062IDRG4-ND
TLE2062IDRG4
296-39251-6
TLE2062IDR-ND
296-39251-1
296-39251-2

所属分类/目录

/产品索引 /集成电路(IC)/线性/放大器/仪器,运算放大器,缓冲器/Texas Instruments TLE2062IDR

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规格书
1(TLE206x/A/B)
PCN 设计/规格
()
制造商产品页面
1(TLE2062IDR Specifications)
HTML 规格书
1(TLE206x/A/B)
EDA 模型
()

价格

数量: 2500
单价: $13.63011
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $13.63011
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包装: 剪切带(CT)
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替代型号

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