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GermanyDMN2011UFX-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN2011UFX-7
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
详情
MOSFET - 阵列 20V 12.2A（Ta） 2.1W 表面贴装型 V-DFN2050-4
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
10 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12.2A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 10A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
56nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2248pF @ 10V
功率 - 最大值
2.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
4-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
V-DFN2050-4
基本产品编号
DMN2011
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
DMN2011UFX-7DICT
DMN2011UFX-7DITR
DMN2011UFX-7DIDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMN2011UFX-7
相关文档
规格书
1(DMN2011UFX)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)
价格
数量: 30000
单价: $2.31874
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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