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GermanyIPB60R299CPATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPB60R299CPATMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ CP
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
299 毫欧 @ 6.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 440µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1100 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
96W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IPB60R
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPB60R299CP
IPB60R299CPATMA1TR
IPB60R299CP-ND
IPB60R299CPATMA1-ND
IPB60R299CPDKR
IPB60R299CPTR-ND
IPB60R299CPCT-ND
2156-IPB60R299CPATMA1
IPB60R299CPDKR-ND
INFINFIPB60R299CPATMA1
IPB60R299CPCT
IPB60R299CPATMA1DKR
IPB60R299CPATMA1CT
SP000301161
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB60R299CPATMA1
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特色产品
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PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(IPB60R299CP)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V CP Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPB60R280P7ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥20.67000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥20.67000
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型号 : STB37N60DM2AG
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单价. : ¥52.87000
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制造商 : STMicroelectronics
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型号 : TK14G65W5,RQ
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单价. : ¥18.68000
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型号 : R6015ENJTL
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 4
单价. : ¥31.80000
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制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥18.68000
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型号 : R6015KNJTL
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2,000
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制造商 : STMicroelectronics
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型号 : STB18N60M2
制造商 : STMicroelectronics
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型号 : R6011ENJTL
制造商 : Rohm Semiconductor
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型号 : STB13NM60N
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥40.78000
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