English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPD06P003NATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD06P003NATMA1
摘要
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 22A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1.04mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1600 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD06P
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD06P003NATMA1
相关文档
规格书
1(IPD06P003N)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Mar/2019)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
价格
-
替代型号
型号 : IPD650P06NMSAUMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 参数等效
型号 : IPD650P06NMATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 16,202
单价. : ¥13.43000
替代类型. : 参数等效
库存 : 16,202
单价. : ¥13.43000
替代类型. : 参数等效
型号 : SQD19P06-60L_T4GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,820
单价. : ¥13.12000
替代类型. : 类似
库存 : 1,820
单价. : ¥13.12000
替代类型. : 类似