SIS892DN-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SIS892DN-T1-GE3

摘要

MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

详情

表面贴装型 N 通道 100 V 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

88 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

29 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

21.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

611 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3.7W（Ta），52W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

基本产品编号

SIS892

其它名称

SIS892DNT1GE3

SIS892DN-T1-GE3CT

SIS892DN-T1-GE3TR

SIS892DN-T1-GE3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIS892DN-T1-GE3

价格

数量: 3000

单价: $5.37572
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $5.7597
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.29562
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.8315
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.329
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.64
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $5.7597
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.29562
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.329
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.64
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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制造商 : Rohm Semiconductor
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单价. : ¥7.71000
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