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元器件型号详细信息
原厂型号
APT35GP120B2DQ2G
摘要
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
详情
IGBT PT 1200 V 96 A 543 W 通孔
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
POWER MOS 7®
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
96 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
140 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
3.9V @ 15V，35A
功率 - 最大值
543 W
开关能量
750µJ（开），680µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
150 nC
25°C 时 Td（开/关）值
16ns/95ns
测试条件
600V，35A，4.3 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3 变式
基本产品编号
APT35GP120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
APT35GP120B2DQ2GMI-ND
APT35GP120B2DQ2GMI
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Microchip Technology APT35GP120B2DQ2G
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