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GermanyBFR193E6327HTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BFR193E6327HTSA1
摘要
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
详情
RF 晶体管 NPN 12V 80mA 8GHz 580mW 表面贴装型 PG-SOT23
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
12V
频率 - 跃迁
8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益
10dB ~ 15dB
功率 - 最大值
580mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
70 @ 30mA，8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80mA
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
PG-SOT23
基本产品编号
BFR193
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
BFR193E6327HTSA1TR
BFR 193 E6327
BFR 193 E6327-ND
BFR193E6327INCT
BFR193E6327INDKR-ND
BFR193E6327
BFR193E6327INTR
BFR193E6327BTSA1
BFR193E6327HTSA1CT
BFR193E6327INDKR
SP000011056
BFR193E6327INCT-ND
BFR193E6327XT
BFR193E6327HTSA1DKR
BFR193E6327INTR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/Infineon Technologies BFR193E6327HTSA1
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型号 : 2SC5085-Y(TE85L,F)
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
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