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GermanyNGTB30N120LWG
元器件型号详细信息
原厂型号
NGTB30N120LWG
摘要
IGBT 1200V 30A TO247
详情
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 60 A 560 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.2V @ 15V，30A
功率 - 最大值
560 W
开关能量
4.4mJ（开），1mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
420 nC
25°C 时 Td（开/关）值
136ns/360ns
测试条件
600V，30A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
NGTB30
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSONSNGTB30N120LWG
2156-NGTB30N120LWG-ON
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi NGTB30N120LWG
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规格书
1(NGTB30N120LWG)
环保信息
()
特色产品
1(On Semi - FL2 Series Field Stop 2 IGBTs)
PCN 产品变更/停产
1(EOL 23/Dec/2016)
HTML 规格书
1(NGTB30N120LWG)
EDA 模型
1(NGTB30N120LWG by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : FGH25T120SMD-F155
制造商 : onsemi
库存 : 0
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库存 : 0
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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥61.85000
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型号 : STGW25M120DF3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 367
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