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20251228
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元器件资讯
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SVD14N03RT4G
元器件型号详细信息
原厂型号
SVD14N03RT4G
摘要
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 2.5A(Ta) 1.04W(Ta),20.8W(Tc) DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
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技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
最后售卖
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
95 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.8 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
115 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.04W(Ta),20.8W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
SVD14N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-SVD14N03RT4G
2832-SVD14N03RT4G-488
2832-SVD14N03RT4GTR
NVD14N03RT4G
ONSONSSVD14N03RT4G
NVD14N03RT4G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi SVD14N03RT4G
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规格书
1(NTD14N03R)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Mar/2023)
PCN 组装/来源
1(Mold Compound 16/Aug/2018)
HTML 规格书
1(NTD14N03R)
EDA 模型
1(SVD14N03RT4G by Ultra Librarian)
价格
数量: 25000
单价: $1.51867
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 12500
单价: $1.60172
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $1.72037
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
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