IPD250N06N3GBTMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD250N06N3GBTMA1

摘要

MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 28A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

28A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

25 毫欧 @ 28A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 11µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

15 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1200 pF @ 30 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

36W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD250N

其它名称

IPD250N06N3 GCT-ND

IPD250N06N3 GDKR

IPD250N06N3GBTMA1TR

IPD250N06N3GBTMA1DKR

IPD250N06N3GBTMA1CT

IPD250N06N3 G

SP000453634

IPD250N06N3 GCT

IPD250N06N3 GTR-ND

IPD250N06N3 G-ND

IPD250N06N3G

IPD250N06N3 GDKR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD250N06N3GBTMA1

价格

-

替代型号

型号 : IRLR2905TRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 15,101
单价. : ¥12.40000
替代类型. : 类似

型号 : IRLR2905TRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 11,575
单价. : ¥12.40000
替代类型. : 类似

型号 : IPD350N06LGBTMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,370
单价. : ¥7.31000
替代类型. : 类似

型号 : IRFR1205TRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 9,228
单价. : ¥12.40000
替代类型. : 类似

型号 : STD30NF06T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥10.97000
替代类型. : 类似

型号 : STD30NF06LT4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥12.40000
替代类型. : 类似

型号 : STD35NF06T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,412
单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似

型号 : AOD4130

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 149,225
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似

型号 : IRFU4105ZTRL

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : FDD5680

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥11.05000
替代类型. : 类似

GA0805Y153KXABC31G ACT94WC04PC-6149 MTMM-120-04-S-D-070 1541T-B-3-SS SMI6-15-V-P5

IPD250N06N3GBTMA1

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