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GermanyIPTG111N20NM3FDATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPTG111N20NM3FDATMA1
摘要
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 10.8A（Ta），108A（Tc） 3.8W（Ta），375W（Tc） PG-HSOG-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
34 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™ 3
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.8A（Ta），108A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.1 毫欧 @ 96A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 267µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7000 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HSOG-8-1
封装/外壳
8-PowerSMD，鸥翼
基本产品编号
IPTG111N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP005431194
448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR
448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT
448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPTG111N20NM3FDATMA1
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规格书
1(IPTG111N20NM3FD)
EDA 模型
1(IPTG111N20NM3FDATMA1 by Ultra Librarian)
Reliability Documents
1(IPTG111N20NM3FD Qualification Report)
价格
数量: 1800
单价: $37.49607
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1800
数量: 500
单价: $43.05098
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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