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GermanyNTQD6866R2G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTQD6866R2G
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
详情
MOSFET - 阵列 20V 4.7A 940mW 表面贴装型 8-TSSOP
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
32 毫欧 @ 6.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1400pF @ 16V
功率 - 最大值
940mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装
8-TSSOP
基本产品编号
NTQD68
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NTQD6866R2GOS
2156-NTQD6866R2G
ONSONSNTQD6866R2G
2156-NTQD6866R2G-ONTR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTQD6866R2G
相关文档
规格书
1(NTQD6866R2)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 03/Apr/2007)
HTML 规格书
1(NTQD6866R2)
价格
-
替代型号
-