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GermanyBSC750N10NDGATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC750N10NDGATMA1
摘要
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
详情
MOSFET - 阵列 100V 3.2A 26W 表面贴装型 PG-TDSON-8-4
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
75 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 12µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
720pF @ 50V
功率 - 最大值
26W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PG-TDSON-8-4
基本产品编号
BSC750N10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSC750N10NDGATMA1DKR
BSC750N10ND G-ND
BSC750N10ND GCT
BSC750N10NDGATMA1CT
BSC750N10NDG
SP000359610
BSC750N10ND GCT-ND
2156-BSC750N10NDGATMA1
BSC750N10ND GDKR-ND
BSC750N10ND G
IFEINFBSC750N10NDGATMA1
BSC750N10ND GTR
BSC750N10NDGATMA1TR
BSC750N10ND GTR-ND
BSC750N10ND GDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies BSC750N10NDGATMA1
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价格
-
替代型号
型号 : IPG16N10S461ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,540
单价. : ¥8.27000
替代类型. : 类似
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