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GermanyBSC010NE2LSIATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC010NE2LSIATMA1
摘要
MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 38A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8-7
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
38A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.05 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
59 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4200 pF @ 12 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），96W（Tc）
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC010
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSC010NE2LSIATMA1DKR
BSC010NE2LSIDKR
BSC010NE2LSIATMA1TR
BSC010NE2LSICT-ND
BSC010NE2LSI
BSC010NE2LSIATMA1CT
BSC010NE2LSIDKR-ND
BSC010NE2LSITR-ND
BSC010NE2LSI-ND
SP000854376
BSC010NE2LSICT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC010NE2LSIATMA1
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特色产品
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PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(BSC010NE2LSI)
EDA 模型
1(BSC010NE2LSIATMA1 by SnapEDA)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 25V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 10000
单价: $7.18355
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
数量: 5000
单价: $7.37258
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IRFH4210DTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1
单价. : ¥20.51000
替代类型. : 直接
库存 : 1
单价. : ¥20.51000
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