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GermanyNCV33152DR2G
元器件型号详细信息
原厂型号
NCV33152DR2G
摘要
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
详情
低端 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
29 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
驱动配置
低端
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
6.1V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH
0.8V，2.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
1.5A，1.5A
输入类型
非反相
上升/下降时间（典型值）
36ns，32ns
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
NCV33152
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
其它名称
NCV33152DR2GOSCT
=NCV33152DR2GOSCT-ND
NCV33152DR2GOSTR
NCV33152DR2GOSDKR
2156-NCV33152DR2G-OS
NCV33152DR2G-ND
ONSONSNCV33152DR2G
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/电源管理（PMIC）/栅极驱动器/onsemi NCV33152DR2G
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规格书
1(MC34152, MC33152, NCV33152)
环保信息
()
EDA 模型
1(NCV33152DR2G by Ultra Librarian)
价格
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