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GermanyCSD87334Q3D
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD87334Q3D
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
详情
MOSFET - 阵列 30V 20A 6W 表面贴装型 8-VSON（3.3x3.3）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 12A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1260pF @ 15V
功率 - 最大值
6W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-VSON（3.3x3.3）
基本产品编号
CSD87334Q3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-51021-6
296-51021-1
296-51021-2
CSD87334Q3D-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments CSD87334Q3D
相关文档
规格书
1(CSD87334Q3D Datasheet)
特色产品
1(Power Management)
PCN 组装/来源
1(CSDYYY 13/Feb/2017)
制造商产品页面
1(CSD87334Q3D Specifications)
HTML 规格书
1(CSD87334Q3D Datasheet)
EDA 模型
1(CSD87334Q3D by Ultra Librarian)
价格
数量: 2500
单价: $5.41388
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
替代型号
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