SSM6J212FE,LF

元器件型号详细信息

原厂型号

SSM6J212FE,LF

摘要

MOSFET P-CH 20V 4A ES6

详情

表面贴装型 P 通道 20 V 4A（Ta） 500mW（Ta） ES6

原厂/品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

4,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

U-MOSVI

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

40.7 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

14.1 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

970 pF @ 10 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

500mW（Ta）

工作温度

150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

ES6

封装/外壳

SOT-563，SOT-666

基本产品编号

SSM6J212

其它名称

SSM6J212FELFCT

SSM6J212FE(TE85LFTR-ND

SSM6J212FE(TE85LFTR

SSM6J212FELFDKRINACTIVE

SSM6J212FE(TE85LFDKR-ND

SSM6J212FE(TE85LFCT-ND

SSM6J212FE,LF(CA

SSM6J212FETE85LF

SSM6J212FE(TE85LFCT

SSM6J212FELFCTINACTIVE

SSM6J212FE(TE85L,F

SSM6J212FELFTR

SSM6J212FELFDKR

SSM6J212FELF

SSM6J212FELFTRINACTIVE

SSM6J212FE(TE85LFDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J212FE,LF

价格

数量: 4000

单价: $1.29385
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

数量: 2000

单价: $1.29385
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $1.41906
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $1.83642
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $2.3373
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $3.132
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $3.66
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $1.29385
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $1.41906
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $1.83642
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $2.3373
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $3.132
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $3.66
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

CKR06BX184KM CX10S-GDCDG0-P-A-DK00000 MAX6811MEUS-T MTMM-118-06-S-S-045 NLV17SZ06DFT2G

SSM6J212FE,LF

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