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GermanyFDP18N50
元器件型号详细信息
原厂型号
FDP18N50
摘要
MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
详情
通孔 N 通道 500 V 18A（Tc） 235W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
48 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
UniFET™
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
265 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2860 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
235W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP18
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FDP18N50-OS
ONSONSFDP18N50
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDP18N50
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规格书
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环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(TO220B03 Pkg Drawing)
价格
数量: 5000
单价: $10.89817
包装: 管件
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最小包装数量: 1
包装: 管件
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替代型号
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制造商 : IXYS
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