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GermanyNTB45N06T4G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTB45N06T4G
摘要
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 45A（Ta） 2.4W（Ta），125W（Tj） D²PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
45A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26 毫欧 @ 22.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1725 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta），125W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
NTB45
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NTB45N06T4GOSTR
NTB45N06T4GOS
NTB45N06T4GOSDKR
NTB45N06T4GOSCT
NTB45N06T4GOS-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTB45N06T4G
相关文档
规格书
1(NTB(V)45N06)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 7/Apr/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013)
HTML 规格书
1(NTB(V)45N06)
价格
-
替代型号
型号 : HUF76429S3ST
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥14.90000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥14.90000
替代类型. : 直接
型号 : PHB47NQ10T,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 784
单价. : ¥15.07000
替代类型. : 直接
库存 : 784
单价. : ¥15.07000
替代类型. : 直接
型号 : STB45NF06T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥14.09000
替代类型. : 直接
库存 : 0
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替代类型. : 直接
型号 : STB55NF06T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥20.90000
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库存 : 0
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型号 : STB55NF06LT4
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库存 : 0
单价. : ¥17.17000
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库存 : 0
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型号 : PSMN015-60BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 23,115
单价. : ¥11.02000
替代类型. : 类似
库存 : 23,115
单价. : ¥11.02000
替代类型. : 类似
型号 : IRFZ44RSTRR
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似