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GermanyPHKD6N02LT,518
元器件型号详细信息
原厂型号
PHKD6N02LT,518
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
详情
MOSFET - 阵列 20V 10.9A 4.17W 表面贴装型 8-SO
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 3A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15.3nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
950pF @ 10V
功率 - 最大值
4.17W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号
PHKD6
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
2（1 年）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Nexperia USA Inc. PHKD6N02LT,518
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规格书
1(PHKD6N02LT)
PCN 产品变更/停产
1(2017 Year-End EOL 8/Jan/2018)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(PHKD6N02LT)
价格
-
替代型号
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库存 : 2,868
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