English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFQD3N60CTM-WS
元器件型号详细信息
原厂型号
FQD3N60CTM-WS
摘要
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 2.4A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
565 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
FQD3N60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQD3N60CTM_WSTR-ND
FQD3N60CTM_WSDKR-ND
FQD3N60CTMWS
FQD3N60CTM_WS
FQD3N60CTM_WSTR
FQD3N60CTM_WSCT-ND
FQD3N60CTM-WSCT
FQD3N60CTM-WSDKR
FQD3N60CTM_WSDKR
FQD3N60CTM-WSINACTIVE
FQD3N60CTM-WS-ND
FQD3N60CTM_WS-ND
FQD3N60CTM-WSTR
FQD3N60CTM_WSCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQD3N60CTM-WS
相关文档
规格书
1(FQD3N60CTM_WS)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab 28/Jul/2021)
EDA 模型
1(FQD3N60CTM-WS by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : FDD5N60NZTM
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥9.46000
替代类型. : MFR Recommended
库存 : 0
单价. : ¥9.46000
替代类型. : MFR Recommended
型号 : STD3NK60ZT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,565
单价. : ¥10.41000
替代类型. : 直接
库存 : 1,565
单价. : ¥10.41000
替代类型. : 直接
型号 : AOD3N60
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 2,000
单价. : ¥6.36000
替代类型. : 类似
库存 : 2,000
单价. : ¥6.36000
替代类型. : 类似
型号 : STD2N62K3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥12.48000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥12.48000
替代类型. : 类似