English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPB60R190P6ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPB60R190P6ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P6
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 7.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 630µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1750 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
151W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IPB60R
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPB60R190P6ATMA1CT
2156-IPB60R190P6ATMA1
SP001364462
ROCINFIPB60R190P6ATMA1
IPB60R190P6ATMA1DKR
IPB60R190P6ATMA1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB60R190P6ATMA1
相关文档
规格书
1(IPx60R190P6)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 31/Aug/2017)
HTML 规格书
1(IPx60R190P6)
价格
-
替代型号
型号 : IPB60R180P7ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥22.58000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥22.58000
替代类型. : 类似
型号 : R6020KNJTL
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2,910
单价. : ¥27.75000
替代类型. : 类似
库存 : 2,910
单价. : ¥27.75000
替代类型. : 类似
型号 : AOB20S60L
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 163
单价. : ¥25.76000
替代类型. : 类似
库存 : 163
单价. : ¥25.76000
替代类型. : 类似
型号 : R6024ENJTL
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 948
单价. : ¥30.29000
替代类型. : 类似
库存 : 948
单价. : ¥30.29000
替代类型. : 类似
型号 : STB31N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥18.68529
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥18.68529
替代类型. : 类似
型号 : STB28N65M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 998
单价. : ¥29.41000
替代类型. : 类似
库存 : 998
单价. : ¥29.41000
替代类型. : 类似
型号 : SIHB22N60EL-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥17.76326
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥17.76326
替代类型. : 类似