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元器件型号详细信息
原厂型号
DMT10H009LH3
摘要
MOSFET N-CH 100V 84A TO251
详情
通孔 N 通道 100 V 84A（Tc） 96W（Tc） TO-251
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
24 周
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
84A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2309 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
96W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-251
封装/外壳
TO-251-3 短截引线，IPak
基本产品编号
DMT10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMT10H009LH3
相关文档
规格书
1(DMT10H009LH3)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Assembly REV 07/Sep/2021)
价格
数量: 75
单价: $6.8716
包装: 管件
最小包装数量: 75
包装: 管件
最小包装数量: 75
替代型号
-