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GermanyIRLD110PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLD110PBF
摘要
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
详情
通孔 N 通道 100 V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装
100
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
540 毫欧 @ 600mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.1 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
4-HVMDIP
封装/外壳
4-DIP（0.300"，7.62mm）
基本产品编号
IRLD110
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix IRLD110PBF
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规格书
1(IRLD110)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev 01/Feb/2023)
HTML 规格书
1(IRLD110)
EDA 模型
1(IRLD110PBF by Ultra Librarian)
价格
数量: 10000
单价: $5.87856
包装: 管件
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数量: 5000
单价: $6.03326
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替代型号
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