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GermanyCSD13306WT
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD13306WT
摘要
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
详情
表面贴装型 N 通道 12 V 3.5A（Ta） 1.9W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
250
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.2m옴 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1370 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.9W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-DSBGA（1x1.5）
封装/外壳
6-UFBGA，DSBGA
基本产品编号
CSD13306
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-41134-6
TEXTISCSD13306WT
296-41134-2
2156-CSD13306WT
296-41134-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD13306WT
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规格书
1(CSD13306W)
特色产品
1(Power Management)
PCN 设计/规格
()
PCN 封装
1(Carrier Tape 28/Aug/2018)
制造商产品页面
1(CSD13306WT Specifications)
HTML 规格书
1(CSD13306W)
EDA 模型
1(CSD13306WT by Ultra Librarian)
价格
数量: 12500
单价: $3.35314
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
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