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GermanyNSVEMT1DXV6T5G
元器件型号详细信息
原厂型号
NSVEMT1DXV6T5G
摘要
TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 PNP（双） 60V 100mA 140MHz 500mW 表面贴装型 SOT-563
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500pA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
120 @ 1mA，6V
功率 - 最大值
500mW
频率 - 跃迁
140MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
基本产品编号
NSVEMT1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
2156-NSVEMT1DXV6T5G-OS
ONSONSNSVEMT1DXV6T5G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/onsemi NSVEMT1DXV6T5G
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规格书
1(EMT1DXV6T1,5)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(AP0201/FDD/NJVM/NSV/NVD/NVT/SNS 30/Jun/2022)
PCN 设计/规格
1(Carrier Tape 22/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Chgs 3/Jul/2020)
HTML 规格书
1(EMT1DXV6T1,5)
EDA 模型
1(NSVEMT1DXV6T5G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : NSVEMT1DXV6T1G
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