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GermanyNTMFS6H836NLT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTMFS6H836NLT1G
摘要
MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
详情
表面贴装型 N 通道 80 V 16A（Ta），77A（Tc） 3.7W（Ta），89W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
61 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Ta），77A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.2 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 95µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1950 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），89W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线
基本产品编号
NTMFS6
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-NTMFS6H836NLT1GCT
488-NTMFS6H836NLT1GTR
488-NTMFS6H836NLT1GDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTMFS6H836NLT1G
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规格书
1(NTMFS6H836NL)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 17/Oct/2022)
价格
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替代型号
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