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GermanyIRLS3036TRRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLS3036TRRPBF
摘要
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 195A（Tc） 380W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 165A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
140 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11210 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
380W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLS3036TRRPBF
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1(IRLS(L)3036)
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PCN 设计/规格
1(Material Chg 24/Nov/2015)
PCN 组装/来源
1(Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013)
HTML 规格书
1(IRLS(L)3036)
价格
-
替代型号
型号 : IRLS3036TRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 7,200
单价. : ¥30.21000
替代类型. : 直接
库存 : 7,200
单价. : ¥30.21000
替代类型. : 直接
型号 : IPB120N06S402ATMA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,000
单价. : ¥26.23000
替代类型. : 类似
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型号 : BUK762R6-60E,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥18.68000
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型号 : BUK962R8-60E,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 38
单价. : ¥26.31000
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型号 : STH260N6F6-2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥37.52000
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型号 : PSMN1R7-60BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥28.30000
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库存 : 0
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替代类型. : 类似
型号 : SUM50020EL-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥24.33000
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型号 : BUK762R4-60E,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥14.77582
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库存 : 0
单价. : ¥14.77582
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型号 : BUK962R5-60E,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥30.61000
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型号 : FDB024N06
制造商 : onsemi
库存 : 21
单价. : ¥43.09000
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