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GermanyIPI60R190C6XKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPI60R190C6XKSA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3
详情
通孔 N 通道 600 V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 630µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1400 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
151W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO262-3
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
IPI60R190
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IFEINFIPI60R190C6XKSA1
IPI60R190C6
SP000660618
IPI60R190C6-ND
2156-IPI60R190C6XKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPI60R190C6XKSA1
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仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V C6 Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $14.8979
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $15.47987
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $16.29458
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $19.32068
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $22.6961
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $27.704
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $30.84
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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