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GermanySIJH112E-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIJH112E-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 23A（Ta），225A（Tc） 3.3W（Ta），333W（Tc） PowerPAK® 8 x 8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
78 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A（Ta），225A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8050 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.3W（Ta），333W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 8 x 8
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
SIJH112
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIJH112E-T1-GE3
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EDA 模型
1(SIJH112E-T1-GE3 by Ultra Librarian)
价格
数量: 2000
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最小包装数量: 2000
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