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Germany2N7000,126
元器件型号详细信息
原厂型号
2N7000,126
摘要
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
详情
通孔 N 通道 60 V 300mA（Tc） 830mW（Ta） TO-92-3
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
带盒（TB）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
830mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
基本产品编号
2N70
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2N7000 AMO
2N7000 AMO-ND
934003460126
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. 2N7000,126
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规格书
1(2N7000 Datasheet)
环保信息
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(2N7000 Datasheet)
价格
-
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