元器件型号详细信息

原厂型号
IXTP4N70X2M
摘要
MOSFET N-CH 700V 4A TO220
详情
通孔 N 通道 700 V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-220 隔离的标片
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
55 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
IXYS
系列
Ultra X2
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
850 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
386 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
30W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220 隔离的标片
封装/外壳
TO-220-3 全封装,隔离接片
基本产品编号
IXTP4

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IXTP4N70X2M-ND
-1402-IXTP4N70X2M
238-IXTP4N70X2M

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/IXYS IXTP4N70X2M

相关文档

规格书
()
环保信息
1(Ixys IC REACH)
特色产品
1(Power MOSFETs 600 V to 700 V with HiPerFET™ Option - X2-Class Series)
PCN 设计/规格
1(Multiple Devices Molding Compound 07/Sep/2020)
HTML 规格书
1(IXTP4N70X2M)

价格

数量: 5000
单价: $12.726
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $13.2231
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $13.91909
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1

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