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GermanyIPD048N06L3GBTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD048N06L3GBTMA1
摘要
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.8 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 58µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8400 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
115W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD048
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD048N06L3 G-ND
IPD048N06L3GBTMA1TR
IPD048N06L3 G
IPD048N06L3GBTMA1DKR
SP000453334
IPD048N06L3GBTMA1CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD048N06L3GBTMA1
相关文档
规格书
1(IPD048N06L3 G)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2021)
PCN 组装/来源
1(OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IPD048N06L3 G)
EDA 模型
1(IPD048N06L3 G by SnapEDA)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 12500
单价: $3.96249
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $4.11727
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $4.33397
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 1
单价: $10.26
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $10.26
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPD031N06L3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 36,226
单价. : ¥23.13000
替代类型. : 直接
库存 : 36,226
单价. : ¥23.13000
替代类型. : 直接
型号 : IPD048N06L3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥10.73000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥10.73000
替代类型. : 参数等效