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GermanyHGTD3N60C3S9A
元器件型号详细信息
原厂型号
HGTD3N60C3S9A
摘要
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
详情
IGBT 600 V 6 A 33 W 表面贴装型 TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
6 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
24 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，3A
功率 - 最大值
33 W
开关能量
85µJ（开），245µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
10.8 nC
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
480V，3A，82 欧姆，15V
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252AA
基本产品编号
HGTD3N60
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi HGTD3N60C3S9A
相关文档
规格书
1(HGTD3N60C3S, HGTP3N60C3)
环保信息
1(onsemi RoHS)
HTML 规格书
1(HGTD3N60C3S, HGTP3N60C3)
EDA 模型
1(HGTD3N60C3S9A by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : IKD03N60RFATMA1
制造商 : Infineon Technologies
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