元器件型号详细信息

原厂型号
IRFH6200TR2PBF
摘要
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 49A(Ta),100A(Tc) 8-PQFN(5x6)
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
400

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
剪切带(CT)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
49A(Ta),100A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.95 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
230 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
10890 pF @ 10 V
FET 功能
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)
封装/外壳
8-PowerVDFN

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IRFH6200TR2PBFTR
IRFH6200TR2PBFDKR
IRFH6200TR2PBFCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRFH6200TR2PBF

相关文档

规格书
1(IRFH6200PBF)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
环保信息
1(PQFN 5x6 RoHS Compliance)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 13/Nov/2013)
PCN 组装/来源
1(Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013)
HTML 规格书
1(IRFH6200PBF)
仿真模型
1(IRFH6200TR2PBF Saber Model)

价格

-

替代型号

型号 : SIR404DP-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 29,062
单价. : ¥15.98000
替代类型. : 类似