IPD30N06S4L23ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD30N06S4L23ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3-11

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

allaboutcomponents.com 停止提供

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

23 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 10µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

21 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1560 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

36W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3-11

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD30N

其它名称

IPD30N06S4L-23-ND

IPD30N06S4L23ATMA1TR

INFINFIPD30N06S4L23ATMA1

IPD30N06S4L-23

2156-IPD30N06S4L23ATMA1-ITTR

SP000374320

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD30N06S4L23ATMA1

价格

-

替代型号

型号 : IPD30N06S4L23ATMA2

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,137
单价. : ¥7.63000
替代类型. : 直接

型号 : STD35NF06LT4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥12.80000
替代类型. : 类似

型号 : PJD35N06A_L2_00001

制造商 : Panjit International Inc.
库存 : 2,795
单价. : ¥5.01000
替代类型. : 类似

型号 : SQD25N06-22L_GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥13.51000
替代类型. : 类似

型号 : STD35NF06T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似

型号 : AOD4130

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 176,219
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似

型号 : TSM230N06CP ROG

制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 105,980
单价. : ¥15.98000
替代类型. : 类似

MMT371A115-0009 9185145902 7100.1067.13 HLMUDRAAA 307-034-453-112

IPD30N06S4L23ATMA1

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