元器件型号详细信息

原厂型号
BSZ0909NSATMA1
摘要
MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
详情
表面贴装型 N 通道 34 V 9A(Ta),36A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) PG-TSDSON-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
34 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A(Ta),36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1310 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),25W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSZ0909

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

BSZ0909NSDKR-ND
BSZ0909NSCT
BSZ0909NSCT-ND
SP000832568
BSZ0909NSDKR
BSZ0909NS
BSZ0909NSTR-ND
BSZ0909NSATMA1TR
BSZ0909NS-ND
BSZ0909NSATMA1CT
BSZ0909NSATMA1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSZ0909NSATMA1

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仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 34V N-Channel Spice Model)

价格

数量: 25000
单价: $2.00577
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 10000
单价: $2.05855
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 5000
单价: $2.13773
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 2000
单价: $2.29609
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $2.53363
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $3.16692
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $4.006
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $5.223
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $5.96
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $2.29609
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $2.53363
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $3.16692
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $4.006
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最小包装数量: 1
数量: 10
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最小包装数量: 1

替代型号

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