SI2319DDS-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SI2319DDS-T1-GE3

摘要

MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23

详情

表面贴装型 P 通道 40 V 2.7A（Ta），3.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

99 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET® Gen III

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.7A（Ta），3.6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

75 毫欧 @ 2.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

19 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

650 pF @ 20 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

1W（Ta），1.7W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

基本产品编号

SI2319

其它名称

SI2319DDS-T1-GE3TR

SI2319DDS-T1-GE3CT

SI2319DDS-T1-GE3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI2319DDS-T1-GE3

价格

数量: 30000

单价: $1.1539
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 15000

单价: $1.217
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 6000

单价: $1.30715
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 3000

单价: $1.3973
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $1.53252
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $1.98326
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $2.524
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $3.379
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $3.97
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $1.53252
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $1.98326
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $2.524
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $3.379
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $3.97
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

RT9068-25GSP PHP1-S3-S5-M-TR C0402Y5V250-473ZNP SST25VF020-20-4I-QAE "SAA7709H/N105,518"

SI2319DDS-T1-GE3

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