元器件型号详细信息

原厂型号
SI2319DDS-T1-GE3
摘要
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
详情
表面贴装型 P 通道 40 V 2.7A(Ta),3.6A(Tc) 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET® Gen III
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A(Ta),3.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
75 毫欧 @ 2.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
650 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Ta),1.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
SI2319

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SI2319DDS-T1-GE3TR
SI2319DDS-T1-GE3CT
SI2319DDS-T1-GE3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SI2319DDS-T1-GE3

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环保信息
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PCN 组装/来源
1(Mult Devs Alt Production Location 17/Jan/2023)
HTML 规格书
1(SI2319DDS)
EDA 模型
1(SI2319DDS-T1-GE3 by Ultra Librarian)

价格

数量: 30000
单价: $1.1539
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $1.217
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $1.30715
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $1.3973
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $1.53252
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $1.98326
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $2.524
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $3.379
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $3.97
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $1.53252
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
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数量: 100
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数量: 10
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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