IPB80N06S207ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB80N06S207ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

详情

表面贴装型 N 通道 55 V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

allaboutcomponents.com 停止提供

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

6.3 毫欧 @ 68A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 180µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

110 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3400 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

250W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB80N

其它名称

INFINFIPB80N06S207ATMA1

2156-IPB80N06S207ATMA1

IPB80N06S2-07

SP000218818

IPB80N06S2-07-ND

IPB80N06S207ATMA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB80N06S207ATMA1

价格

-

替代型号

型号 : STB85NF55T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 类似

型号 : STH110N7F6-2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : IXTA110N055T2

制造商 : IXYS
库存 : 3
单价. : ¥23.69000
替代类型. : 类似

型号 : BUK6607-55C,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 581
单价. : ¥16.06000
替代类型. : 类似

型号 : IXTA120N075T2

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥29.36260
替代类型. : 类似

型号 : FDB060AN08A0

制造商 : onsemi
库存 : 3,871
单价. : ¥30.37000
替代类型. : 类似

型号 : BUK9608-55B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥18.13000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN7R6-60BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似

型号 : AOB2606L

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥7.36211
替代类型. : 类似

型号 : STB140NF55T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3,199
单价. : ¥29.41000
替代类型. : 类似

IMP1-2D0-1C0-1I0-1O0-1O0-4LE-00 627-17W2224-3TA D38999/24TE6AN ERJ-PB3B3011V DTS24F23-55HN [V001]

IPB80N06S207ATMA1

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