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GermanySTS9P2UH7
元器件型号详细信息
原厂型号
STS9P2UH7
摘要
MOSFET P-CH 20V 9A 8SO
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 9A（Tc） 2.7W（Tc） 8-SOIC
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22.5 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2390 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.7W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
STS9P
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-497-15155-6
497-15155-1
497-15155-2
-497-15155-2
-497-15155-1
497-15155-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STS9P2UH7
相关文档
规格书
1(STS9P2UH7)
产品培训模块
()
视频文件
1(Motor Control in Electric Vehicles)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices OBS 07/Feb/2018)
HTML 规格书
1(STS9P2UH7)
价格
-
替代型号
型号 : TSM180P03CS RLG
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