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GermanyBAS85 L1G
元器件型号详细信息
原厂型号
BAS85 L1G
摘要
DIODE SCHOTT 30V 200MA MINI MELF
详情
二极管 30 V 200mA 表面贴装型 迷你型 MELF
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
30 V
电流 - 平均整流 (Io)
200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
800 mV @ 100 mA
速度
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr)
5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
2 µA @ 30 V
不同 Vr、F 时电容
10pF @ 1V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80
供应商器件封装
迷你型 MELF
工作温度 - 结
125°C（最大）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
其它名称
BAS85 L1GCT-ND
BAS85L1GDKR
BAS85L1GCT
BAS85 L1GDKR
BAS85 L1GTR
BAS85L1GTR
BAS85 L1GCT
BAS85 L1GDKR-ND
BAS85 L1GTR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Taiwan Semiconductor Corporation BAS85 L1G
相关文档
规格书
1(BAS85)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(BAT42/BAT43/BAS85 05/Jul/2018)
价格
-
替代型号
型号 : LL42-GS08
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 40,839
单价. : ¥3.82000
替代类型. : 直接
库存 : 40,839
单价. : ¥3.82000
替代类型. : 直接
型号 : BAS85,135
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 12,110
单价. : ¥2.78000
替代类型. : 参数等效
库存 : 12,110
单价. : ¥2.78000
替代类型. : 参数等效
型号 : BAS85-GS08
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 33,732
单价. : ¥3.18000
替代类型. : 参数等效
库存 : 33,732
单价. : ¥3.18000
替代类型. : 参数等效
型号 : BAS85,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 28,651
单价. : ¥2.78000
替代类型. : 参数等效
库存 : 28,651
单价. : ¥2.78000
替代类型. : 参数等效
型号 : BAS85-M-18
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥0.48539
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥0.48539
替代类型. : 参数等效