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元器件型号详细信息
原厂型号
TP90H050WS
摘要
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
详情
通孔 N 通道 900 V 34A（Tc） 119W（Tc） TO-247-3
原厂/品牌
Transphorm
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Transphorm
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss）
900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
63 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.4V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
980 pF @ 600 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
119W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
TP90H050
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Transphorm TP90H050WS
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规格书
1(TP90H050WS)
特色产品
1(TP90H050WS 900 V 50 mΩ GaN FET in TO-247)
HTML 规格书
1(TP90H050WS)
价格
数量: 500
单价: $98.64146
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $110.8864
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $131.295
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $142.85
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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