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GermanyTP65H070LSG-TR
元器件型号详细信息
原厂型号
TP65H070LSG-TR
摘要
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 25A（Tc） 96W（Tc） 3-PQFN（8x8）
原厂/品牌
Transphorm
原厂到货时间
26 周
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Transphorm
系列
TP65H070L
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
600 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
96W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
3-PQFN（8x8）
封装/外壳
3-PowerDFN
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
1707-TP65H070LSG-CT
1707-TP65H070LSG-DKR
1707-TP65H070LSG-TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Transphorm TP65H070LSG-TR
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规格书
1(TP65H070L Datasheet)
价格
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